单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
760mA（Tj）915mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
230 毫欧 @ 600mA，4.5V360 毫欧 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.82 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
110 pF @ 16 V156 pF @ 5 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）301mW（Tj）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC−75-3_463
NTA4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
onsemi
297,266
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.58243
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
915mA（Ta）
1.5V，4.5V
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.1V @ 250µA
1.82 nC @ 4.5 V
±6V
110 pF @ 16 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
SC−75-3_463
NTA4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
149,789
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.61450
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
760mA（Tj）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
301mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。