单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
330mA（Ta）350mA（Ta）460mA（Ta）630mA（Ta）650mA（Ta）820mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 350mA，4.5V400 毫欧 @ 600mA，4.5V700 毫欧 @ 350mA，4.5V750 毫欧 @ 430mA，4.5V1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.622 nC @ 4.5 V0.74 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 4 V1.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±8V8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
28.7 pF @ 15 V43 pF @ 10 V46 pF @ 25 V59.76 pF @ 16 V60.67 pF @ 16 V100 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）270mW（Ta）280mW（Ta）300mW（Ta）310mW（Ta）400mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-323SOT-523SSMX2-DFN0806-3
封装/外壳
3-XFDFNSC-70，SOT-323SC-75，SOT-416SOT-523
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
362,731
现货
7,521,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41074
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
460mA（Ta）
1.8V，4.5V
700 毫欧 @ 350mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
340,831
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
247,175
现货
2,187,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
461,815
现货
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
330mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 1mA
1.2 nC @ 4 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
SBR 3-DFN
DMP22D4UFA-7B
MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4
Diodes Incorporated
127,491
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.90308
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
330mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±8V
28.7 pF @ 15 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
20,266
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.21665
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
650mA（Ta）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1V @ 250µA
1.2 nC @ 4.5 V
8V
100 pF @ 16 V
-
300mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
1,059
现货
2,118,000
工厂
1 : ¥3.12000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
350mA（Ta）
2.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
46 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。