单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
*HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
25 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A（Ta）24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 5.8A，10V99 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 10µA4.5V @ 630µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.4 nC @ 10 V53 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 10 V2513 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）127W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3SOT-23
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
29,098
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85127
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5.8A（Ta）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 5.8A，10V
2.35V @ 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IPP65R115CFD7AAKSA1
IPP65R099CFD7AAKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Infineon Technologies
38
现货
1 : ¥30.62000
管件
*
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
24A（Tc）
10V
99 毫欧 @ 12.5A，10V
4.5V @ 630µA
53 nC @ 10 V
±20V
2513 pF @ 400 V
-
127W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。