单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®OptiMOS™OptiMOS™ 5PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
100 V150 V240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）15A（Ta），99A（Tc）37A（Tc）100A（Tc）120A（Tc）130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 75A，10V5.1 毫欧 @ 60A，10V6.5 毫欧 @ 15A，10V7.5 毫欧 @ 100A，10V10.5 毫欧 @ 37A，10V5.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 1mA4V @ 160µA4V @ 250µA4V @ 270µA4.6V @ 264µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V93 nC @ 10 V100 nC @ 10 V108 nC @ 10 V116 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 25 V4300 pF @ 75 V5470 pF @ 75 V7295 pF @ 25 V7350 pF @ 75 V7800 pF @ 75 V8205 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tc）2.5W（Ta）3.2W（Ta），156W（Tc）40.5W（Tc）300W（Tc）333W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-Dual Cool™88PG-TO220-3PG-TO220-FPSOT-223-3TO-220-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-220-3TO-220-3 整包TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
onsemi
6,649
现货
1 : ¥43.92000
剪切带（CT）
800 : ¥26.49560
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
130A（Tc）
10V
7.5 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
7350 pF @ 75 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220-3
FDP036N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
onsemi
1,581
现货
1 : ¥44.00000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
3.6 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
7295 pF @ 25 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
SOT-223-3
ZVN4424GTA
MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223
Diodes Incorporated
11,807
现货
195,000
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.70332
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
500mA（Ta）
2.5V，10V
5.5 欧姆 @ 500mA，10V
1.8V @ 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
TO-220-3
IPP075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Infineon Technologies
880
现货
1 : ¥35.79000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
100A（Tc）
8V，10V
7.5 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 270µA
93 nC @ 10 V
±20V
5470 pF @ 75 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
8-PQFN
FDMT800150DC
MOSFET N-CH 150V 15A/99A 8DUAL
onsemi
9,328
现货
9,000
工厂
1 : ¥41.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥30.88939
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
15A（Ta），99A（Tc）
6V，10V
6.5 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
8205 pF @ 75 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
PG-TO-220-FP
IPA105N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥38.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
37A（Tc）
8V，10V
10.5 毫欧 @ 37A，10V
4V @ 160µA
55 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 75 V
-
40.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
IPP051N15N5AKSA1
MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥54.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
120A（Tc）
8V，10V
5.1 毫欧 @ 60A，10V
4.6V @ 264µA
100 nC @ 10 V
±20V
7800 pF @ 75 V
-
300mW（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。