单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Microchip TechnologySTMicroelectronics
系列
-SuperMESH™
包装
剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）袋
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V500 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA（Tj）175mA（Tj）200mA（Tj）230mA（Tj）310mA（Tj）400mA（Tc）530mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2V，5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 欧姆 @ 500mA，5V5 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V8.5 欧姆 @ 500mA，10V60 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2V @ 1mA2.5V @ 1mA3V @ 1mA3.7V @ 250µA4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
55 pF @ 25 V60 pF @ 25 V156 pF @ 25 V200 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta），1W（Tc）740mW（Ta）1W（Tc）3W（Tc）
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000-G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Microchip Technology
3,331
现货
1 : ¥4.10000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Tj）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2222LL-G-P003
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
2,004
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.02281
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Tj）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
400mW（Ta），1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92-3
STQ1HNK60R-AP
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
STMicroelectronics
7,409
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.01699
带盒（TB）
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
400mA（Tc）
10V
8.5 欧姆 @ 500mA，10V
3.7V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN10KN3-G-P002
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Microchip Technology
2,875
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.43330
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Tj）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP2104N3-G
MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Microchip Technology
1,751
现货
1 : ¥6.40000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
175mA（Tj）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN0702N3-G
MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Microchip Technology
2,390
现货
1 : ¥12.48000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
530mA（Tj）
2V，5V
1.3 欧姆 @ 500mA，5V
1V @ 1mA
-
±20V
200 pF @ 20 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN0550N3-G
MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
Microchip Technology
268
现货
1 : ¥15.19000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
50mA（Tj）
5V，10V
60 欧姆 @ 50mA，10V
4V @ 1mA
-
±20V
55 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。