单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）380mA（Ta）4.2A（Ta）7.2A（Ta）12A（Ta），14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.7 毫欧 @ 12A，10V51 毫欧 @ 12A，10V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V2.8 欧姆 @ 250mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 10 V10.2 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.2 pF @ 25 V50 pF @ 25 V674 pF @ 20 V808 pF @ 15 V1850 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）370mW（Ta）1.4W（Ta）2.14W（Ta）2.3W（Ta），30W（Tc）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）SOT-23-3SOT-323TO-252-3
封装/外壳
8-PowerWDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
355,936
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
166,597
现货
2,688,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-2
DMP4051LK3-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Diodes Incorporated
29,868
现货
1,782,500
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.55579
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
7.2A（Ta）
4.5V，10V
51 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
674 pF @ 20 V
-
2.14W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8 POWER WDFN
FDMC8327L
MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
onsemi
11,001
现货
1 : ¥9.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.89919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
9.7 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
SOT-323
DMN63D8LW-7
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
38,011
现货
1,647,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31827
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
380mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。