单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）8A（Tc）55A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.7 毫欧 @ 27.5A，10V115 毫欧 @ 3.9A，10V350 毫欧 @ 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 500µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 10 V22 nC @ 10 V44 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
206 pF @ 30 V600 pF @ 30 V2800 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
720mW（Ta）3.2W（Ta），19.8W（Tc）93W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
DPAKPowerPAK® 1212-8SOT-23-3
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SI7309DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
7,979
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.39540
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8A（Tc）
4.5V，10V
115 毫欧 @ 3.9A，10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），19.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
DPAK+
TK7R7P10PL,RQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
10,439
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.48004
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
55A（Tc）
4.5V，10V
7.7 毫欧 @ 27.5A，10V
2.5V @ 500µA
44 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 50 V
-
93W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
DMP6350S-7
MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
Diodes Incorporated
54,548
现货
1,443,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16890
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
350 毫欧 @ 900mA，10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±20V
206 pF @ 30 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。