单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）540mA（Ta）17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 9A，10V990 毫欧 @ 100mA，4.5V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V34 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21.5 pF @ 15 V50 pF @ 25 V800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）440mW（Ta）3.8W（Ta），79W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKSOT-23-3X2-DFN0604-3
封装/外壳
3-XFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
392,755
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
X2-DFN0604-3
DMN2991UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
Diodes Incorporated
9,832
现货
500,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.29544
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
540mA（Ta）
1.5V，4.5V
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±8V
21.5 pF @ 15 V
-
440mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN0604-3
3-XFDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
800 : ¥6.32453
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
4V，10V
100 毫欧 @ 9A，10V
2V @ 250µA
34 nC @ 5 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。