单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Rohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12 V20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA（Ta）2.1A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
36 毫欧 @ 4A，10V180 毫欧 @ 500mA，4.5V2 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1.1V @ 250µA2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 4.5 V9.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12 pF @ 10 V200 pF @ 6 V550 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）500mW（Ta）2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
3-PICOSTAR6-UDFNB（2x2）VML0604
封装/外壳
3-XFDFN6-WDFN 裸露焊盘
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VML0604
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Rohm Semiconductor
137,230
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.84148
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
150mA（Ta）
1.5V，4.5V
2 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
VML0604
3-XFDFN
CSDxxxxF4T
CSD13381F4
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
466,552
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43987
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.1A（Ta）
1.8V，4.5V
180 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.1V @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
8V
200 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
18,069
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33125
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta）
150°C
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。