单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Tc）14A（Ta）21A（Ta），34A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 20A，10V4.9 毫欧 @ 22A，10V156 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.8 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
190 pF @ 30 V1540 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.09W（Ta），1.66W（Tc）1.5W（Ta）3.1W（Ta），31W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）PowerPAK® 1212-8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2308BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
36,893
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46767
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.3A（Tc）
4.5V，10V
156 毫欧 @ 1.9A，10V
3V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 30 V
-
1.09W（Ta），1.66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-DFN
AON7522E
MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
5,522
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.45108
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1540 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8
SI7108DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
14,544
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.62427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
14A（Ta）
4.5V，10V
4.9 毫欧 @ 22A，10V
2V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±16V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。