单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™ G7SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）75A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 28.8A，10V3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1.44mA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22.5 nC @ 10 V123 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
575 pF @ 25 V4820 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
80W（Tc）391W（Tc）
供应商器件封装
DPAKPG-HSOF-8-2
封装/外壳
8-PowerSFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-HSOF-8-2
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Infineon Technologies
4,443
现货
1 : ¥112.88000
剪切带（CT）
2,000 : ¥66.51379
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
75A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 28.8A，10V
4V @ 1.44mA
123 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 400 V
-
391W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD4NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
STMicroelectronics
4,472
现货
1 : ¥14.94000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.73605
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
3A（Tc）
10V
3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
4.5V @ 50µA
22.5 nC @ 10 V
±30V
575 pF @ 25 V
-
80W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。