单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Littelfuse Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIV-HHiPerFET™HiPerFET™, PolarLinearPolarP™
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
200 V500 V600 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）24A（Tc）25A（Ta）30A（Tc）48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 500mA，10V125 毫欧 @ 7.5A，10V240 毫欧 @ 15A，10V300 毫欧 @ 500mA，20V4.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1.2mA4.5V @ 250µA5V @ 1.5mA5V @ 250µA5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V40 nC @ 10 V82 nC @ 10 V103 nC @ 10 V160 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1050 pF @ 25 V2400 pF @ 300 V2500 pF @ 25 V4000 pF @ 25 V5400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
180W（Tc）200W（Tc）400W（Tc）462W（Tc）500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220-3TO-247TO-247（IXTH）TO-247AD（IXFH）
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
IXFP3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Littelfuse Inc.
4,616
现货
450
工厂
1 : ¥68.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
3A（Tc）
10V
4.5 欧姆 @ 500mA，10V
5V @ 1.5mA
39 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH48P20P
MOSFET P-CH 200V 48A TO247
Littelfuse Inc.
310
现货
1 : ¥92.03000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
48A（Tc）
10V
85 毫欧 @ 500mA，10V
4.5V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
462W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
30
现货
1 : ¥35.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
25A（Ta）
10V
125 毫欧 @ 7.5A，10V
3.5V @ 1.2mA
40 nC @ 10 V
±30V
2400 pF @ 300 V
-
180W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH24N50L
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥297.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
24A（Tc）
20V
300 毫欧 @ 500mA，20V
5V @ 250µA
160 nC @ 20 V
±30V
2500 pF @ 25 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥86.12000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
30A（Tc）
10V
240 毫欧 @ 15A，10V
5V @ 4mA
82 nC @ 10 V
±30V
4000 pF @ 25 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。