单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta），135A（Tc）40A（Tc）40A（Tj）90A（Tc）100A（Tc）120A（Tj）132A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.6 毫欧 @ 60A，10V1.55 毫欧 @ 50A，10V2.56 毫欧 @ 50A，10V2.86 毫欧 @ 50A，10V3.1 毫欧 @ 50A，10V3.2 毫欧 @ 20A，10V3.2 毫欧 @ 60A，10V3.4 毫欧 @ 50A，10V4 毫欧 @ 20A，10V4 毫欧 @ 50A，10V5 毫欧 @ 20A，10V6.2毫欧 @ 45A，10V10 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 190µA2V @ 24µA2.2V @ 44µA3V @ 130µA3V @ 24µA3V @ 50µA3.4V @ 29µA3.8V @ 27µA3.8V @ 59µA3.8V @ 78µA3.8V @ 90µA3.8V @ 95µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24.2 nC @ 10 V29 nC @ 10 V30.5 nC @ 10 V34 nC @ 10 V36 nC @ 10 V51.5 nC @ 10 V55 nC @ 10 V63 nC @ 10 V64 nC @ 10 V66 nC @ 10 V76 nC @ 10 V78 nC @ 10 V151 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1591 pF @ 40 V1781 pF @ 25 V2019 pF @ 25 V2200 pF @ 30 V3275 pF @ 50 V3470 pF @ 25 V3823 pF @ 30 V3844 pF @ 40 V4209 pF @ 40 V4559 pF @ 40 V5200 pF @ 50 V5525 pF @ 40 V10117 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）3.8W（Ta），140W（Tc）62W（Tc）68W（Tc）71W（Tc）94W（Tc）100W（Tc）115W（Tc）136W（Tc）167W（Tc）187W（Tc）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PG-TDSON-8PG-TDSON-8-34PG-TDSON-8-53PG-TSDSON-8-33PowerDI5060-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6,482
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.83352
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
7V，10V
1.55 毫欧 @ 50A，10V
3V @ 50µA
55 nC @ 10 V
±20V
3470 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
TDSON833
IAUC120N06S5L032ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Infineon Technologies
36,666
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.94885
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
120A（Tj）
-
3.2 毫欧 @ 60A，10V
2.2V @ 44µA
51.5 nC @ 10 V
±16V
3823 pF @ 30 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-34
IAUC100N10S5N040ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Infineon Technologies
17,971
现货
1 : ¥21.51000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.33363
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 90µA
78 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6H818NLT1G
MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
onsemi
5,770
现货
1 : ¥35.14000
剪切带（CT）
1,500 : ¥18.17355
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
22A（Ta），135A（Tc）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 190µA
64 nC @ 10 V
±20V
3844 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
46,682
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.52705
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.56 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 24µA
34 nC @ 10 V
±16V
2019 pF @ 25 V
-
62W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
9,910
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.52705
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
7V，10V
2.86 毫欧 @ 50A，10V
3V @ 24µA
29 nC @ 10 V
±20V
1781 pF @ 25 V
-
62W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
IAUZ40N06S5N050ATMA1
IAUZ40N06S5N050ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Infineon Technologies
9,659
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.27622
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tj）
-
5 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 29µA
30.5 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 30 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
6,060
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.33873
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
40A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 27µA
24.2 nC @ 10 V
±20V
1591 pF @ 40 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-34
IAUC90N10S5N062ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Infineon Technologies
7,442
现货
1 : ¥17.57000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.62251
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
6.2毫欧 @ 45A，10V
3.8V @ 59µA
36 nC @ 10 V
±20V
3275 pF @ 50 V
-
115W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
Automotive_MOSFET
IAUC100N08S5N031ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Infineon Technologies
4,008
现货
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.82630
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
3.1 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 95µA
76 nC @ 10 V
±20V
5525 pF @ 40 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
DMTH84M1SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Diodes Incorporated
2,500
现货
1 : ¥16.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.47227
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
4209 pF @ 40 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥23.07000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.77947
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tj）
7V，10V
0.6 毫欧 @ 60A，10V
3V @ 130µA
151 nC @ 10 V
±20V
10117 pF @ 25 V
-
187W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-53
8-PowerTDFN
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
IAUC100N08S5N034ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
5,000 : ¥7.94504
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
132A（Tj）
6V，10V
3.4 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 78µA
66 nC @ 10 V
±20V
4559 pF @ 40 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。