单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRenesas Electronics Corporation
系列
-StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）27A（Ta），184A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 100A，10V9.6 毫欧 @ 25A，10V13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.8V @ 169µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56.9 nC @ 10 V100 nC @ 10 V154 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2444 pF @ 10 V5000 pF @ 10 V7300 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta），84W（Tc）2.5W（Ta）3.8W（Ta），250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOPG-TO220-3TO-252（MP-3ZK）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 SO
DMP2022LSS-13
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
34,438
现货
492,500
工厂
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.16690
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
2.5V，10V
13 毫欧 @ 10A，10V
1.1V @ 250µA
56.9 nC @ 10 V
±12V
2444 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8,894
现货
1 : ¥18.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.40352
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
9.6 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），84W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,389
现货
1 : ¥21.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
27A（Ta），184A（Tc）
6V，10V
2.6 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 169µA
154 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。