单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）10A（Ta）35A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.75V，5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 16A，10V50 毫欧 @ 6A，4.5V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 1mA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V20 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V1200 pF @ 16 V2310 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）2.8W（Ta），53W（Tc）8.3W（Ta）
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）SOT-223（TO-261）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
113,770
现货
777,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48378
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
2.75V，5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223 (TO-261)
NVF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
onsemi
7,837
现货
80,000
工厂
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
4,000 : ¥4.15726
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
2.5V，4.5V
50 毫欧 @ 6A，4.5V
1V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±8V
1200 pF @ 16 V
-
8.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
8-VSONP
CSD17577Q3AT
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Texas Instruments
3,520
现货
1 : ¥11.33000
剪切带（CT）
250 : ¥5.01948
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Ta）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 16A，10V
1.8V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），53W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。