单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
onsemiPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）1.9A（Ta）8.5A（Ta），45A（Tc）9A（Ta），50A（Tc）9.4A（Ta），34.6A（Tc）50A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.7 毫欧 @ 38A，10V9.4 毫欧 @ 17A，10V12 毫欧 @ 10A，10V17 毫欧 @ 15A，10V23 毫欧 @ 15A，10V170 毫欧 @ 1.9A，10V4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 255µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V16.3 nC @ 10 V19 nC @ 4.5 V23 nC @ 4.5 V45 nC @ 10 V155 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
51 pF @ 25 V430 pF @ 30 V1058 pF @ 20 V2030 pF @ 25 V2400 pF @ 25 V2767 pF @ 25 V6675 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1.2W（Ta），75W（Tc）1.25W（Ta）2W（Ta），63W（Tc）3.5W（Ta），44.1W（Tc）136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）SOT-23TO-252TO-252（MP-3ZP）TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
9,679
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
2,000 : ¥11.17790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 17A，10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
6675 pF @ 20 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8,878
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.04801
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
75A（Tc）
10V
5.7 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
1.2W（Ta），75W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZP）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFWS025P04M8LT1G
MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
onsemi
1,419
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.11283
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9.4A（Ta），34.6A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 255µA
16.3 nC @ 10 V
±20V
1058 pF @ 20 V
-
3.5W（Ta），44.1W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
14,450
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60649
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
2.5V，10V
4 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±20V
51 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PJD50P04_L2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
6,518
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.41045
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2767 pF @ 25 V
-
2W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PJD45P04_L2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
1,548
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.50640
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.5A（Ta），45A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±20V
2030 pF @ 25 V
-
2W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
查看交期
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14209
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.9A（Ta）
4.5V，10V
170 毫欧 @ 1.9A，10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。