单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Central Semiconductor CorpTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™U-MOSIIIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）200mA（Ta）1A（Ta）60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 25A，10V220 毫欧 @ 500mA，10V3.6 欧姆 @ 10mA，4V3.9 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA1.8V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4.5 V30 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13.5 pF @ 3 V17 pF @ 10 V240 pF @ 25 V4420 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）320mW（Ta）350mW（Ta）2.8W（Ta），108W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）SOT-23SOT-23-3USM
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
61,410
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27354
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 25A，10V
1.8V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），108W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
492,818
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19994
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
67,432
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.30229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
3.6 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
12,320
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.74776
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1A（Ta）
5V，10V
220 毫欧 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
20V
240 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。