单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®PolarP™
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）25A（Tc）26A（Tc）28A（Tc）30A（Tc）65A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 46A，10V72.5 毫欧 @ 15A，10V75 毫欧 @ 18A，10V77 毫欧 @ 17A，10V100 毫欧 @ 11A，10V170 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.9V @ 100µA5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V38 nC @ 10 V56 nC @ 10 V72 nC @ 10 V98 nC @ 10 V123 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200 pF @ 50 V1700 pF @ 25 V1710 pF @ 50 V2159 pF @ 25 V2740 pF @ 25 V4600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
100W（Tc）144W（Tc）150W（Tc）214W（Tc）300W（Tc）330W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220-3TO-220ABTO-247AC
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRF540PBF
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Vishay Siliconix
31,847
现货
1 : ¥11.90000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
10V
77 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Infineon Technologies
4,603
现货
1 : ¥26.68000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
65A（Tc）
10V
24 毫欧 @ 46A，10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB4020PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
17,001
现货
1 : ¥10.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
18A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 11A，10V
4.9V @ 100µA
29 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 50 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP250MPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
8,187
现货
1 : ¥19.87000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
30A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
2159 pF @ 25 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB PKG
IRFB4620PBF
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Infineon Technologies
284
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
25A（Tc）
10V
72.5 毫欧 @ 15A，10V
5V @ 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB5620PBF
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Infineon Technologies
796
现货
1 : ¥21.35000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
25A（Tc）
10V
72.5 毫欧 @ 15A，10V
5V @ 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IXTP26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB
Littelfuse Inc.
2,211
现货
400
工厂
1 : ¥55.83000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
26A（Tc）
10V
170 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。