单 IGBT

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesRohm SemiconductorSTMicroelectronics
系列
-TrenchStop®TrenchStop™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
IGBT 类型
-沟槽型场截止沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
20 A28 A80 A90 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
40 A120 A150 A300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.95V @ 15V，10A2.1V @ 15V，30A2.1V @ 15V，50A2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值
61 W115 W305 W395 W
开关能量
83µJ（开），140µJ（关）520µJ（开），180µJ（关）2.3mJ（开），900µJ（关）-
栅极电荷
57 nC58 nC120 nC160 nC
25°C 时 Td（开/关）值
19.5ns/103ns21ns/180ns27ns/105ns28ns/174ns
测试条件
400V，10A，10 欧姆，15V400V，25A，12 欧姆，15V400V，30A，10 欧姆，15V400V，75A，8 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
57 ns92 ns107 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装
PG-TO247-3TO-263（D2PAK）TO-3PFM
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
AUIRFP4310Z BACK
IKW75N65EH5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Infineon Technologies
234
现货
1 : ¥54.68000
管件
管件
在售
沟道
650 V
90 A
300 A
2.1V @ 15V，75A
395 W
2.3mJ（开），900µJ（关）
标准
160 nC
28ns/174ns
400V，75A，8 欧姆，15V
92 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
785
现货
1 : ¥48.27000
管件
管件
在售
-
650 V
80 A
150 A
2.1V @ 15V，50A
305 W
520µJ（开），180µJ（关）
标准
120 nC
21ns/180ns
400V，25A，12 欧姆，15V
57 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
D2Pak
STGB10H60DF
IGBT TRENCH FS 600V 20A TO263
STMicroelectronics
4,541
现货
1 : ¥14.94000
剪切带（CT）
1,000 : ¥6.25998
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
沟槽型场截止
600 V
20 A
40 A
1.95V @ 15V，10A
115 W
83µJ（开），140µJ（关）
标准
57 nC
19.5ns/103ns
400V，10A，10 欧姆，15V
107 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263（D2PAK）
TO-3PFM
RGTH60TK65GC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM
Rohm Semiconductor
307
现货
1 : ¥45.97000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
28 A
120 A
2.1V @ 15V，30A
61 W
-
标准
58 nC
27ns/105ns
400V，30A，10 欧姆，15V
-
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-3PFM，SC-93-3
TO-3PFM
显示
/ 4

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。