单 FET，MOSFET

结果 : 10
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16.5A（Ta），81A（Tc）18.5A（Tc）28A（Ta），184A（Tc）32A（Ta），253A（Tc）42A（Ta），408A（Tc）43A（Ta），425A（Tc）64A（Tc）202A（Tc）454A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.8 毫欧 @ 150A，10V1.05 毫欧 @ 150A，10V1.1 毫欧 @ 150A，10V1.8 毫欧 @ 150A，10V2.3 毫欧 @ 50A，10V2.5 毫欧 @ 150A 10V3.6 毫欧 @ 20A，10V5.75 毫欧 @ 20A，10V17 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.3V @ 10µA2.3V @ 250µA3.6V @ 250µA3.8V @ 108µA3.8V @ 115µA3.8V @ 159µA3.8V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V21.5 nC @ 10 V87 nC @ 10 V98 nC @ 10 V127 nC @ 10 V185 nC @ 10 V223 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 25 V870 pF @ 20 V980 pF @ 30 V1400 pF @ 15 V6500 pF @ 40 V6800 pF @ 40 V9200 pF @ 40 V16000 pF @ 40 V17000 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），39.1W（Tc）2.1W（Ta），39W（Tc）3.8W（Ta），167W（Tc）3.8W（Ta），231W（Tc）3.8W（Ta），375W（Tc）11.5W（Tc）188W（Tc）278W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）PG-HSOF-8PG-HSOG-8-1PG-VSON-6-1PG-WSON-8-2
封装/外壳
6-PowerVDFN8-PowerSFN8-PowerSMD，鸥翼8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-PowerVDFN
IRL60HS118
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Infineon Technologies
35,903
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.94797
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18.5A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 11A，10V
2.3V @ 10µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
11.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
3,737
现货
1 : ¥40.23000
剪切带（CT）
4,000 : ¥14.51852
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
202A（Tc）
6V，10V
2.3 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 115µA
98 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 40 V
-
188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
4,289
现货
1 : ¥51.80000
剪切带（CT）
2,000 : ¥27.53330
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
454A（Tc）
10V
0.8 毫欧 @ 150A，10V
3.6V @ 250µA
185 nC @ 10 V
±20V
980 pF @ 30 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
IPT010N08NM5ATMA1
IPT010N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Infineon Technologies
2,790
现货
1 : ¥59.35000
剪切带（CT）
2,000 : ¥31.54743
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
43A（Ta），425A（Tc）
6V，10V
1.05 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
PG-HSOG-8-1 Bottom View
IPTG011N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
Infineon Technologies
3,409
现货
1 : ¥64.03000
剪切带（CT）
1,800 : ¥36.32343
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
42A（Ta），408A（Tc）
6V，10V
1.1 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
2,970
现货
1 : ¥11.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.00662
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16.5A（Ta），81A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±16V
1400 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-VSON-6-1
6-PowerVDFN
4,416
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.13482
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
IPTG018N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Infineon Technologies
1,794
现货
1 : ¥32.67000
剪切带（CT）
1,800 : ¥16.90293
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Ta），253A（Tc）
6V，10V
1.8 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 159µA
127 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），231W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
IPTG025N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Infineon Technologies
1,800
现货
1 : ¥40.06000
剪切带（CT）
1,800 : ¥15.94875
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Ta），184A（Tc）
6V，10V
2.5 毫欧 @ 150A 10V
3.8V @ 108µA
87 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
0
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
15,000 : ¥2.79248
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
64A（Tc）
4.5V，10V
5.75 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 20 V
-
2.1W（Ta），39.1W（Tc）
-55°C ~ 155°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-VSON-6-1
6-PowerVDFN
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。