单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-HEXFET®OptiMOS™ 3PowerTrench®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）9A（Ta），28A（Tc）15A（Ta），73A（Tc）80A（Tc）90A（Ta）90A（Tc）93A（Tc）95A（Tc）100A（Ta）145A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 50A，10V3.3 毫欧 @ 45A，10V3.6 毫欧 @ 90A，10V4.5 毫欧 @ 50A，10V5.2 毫欧 @ 50A，10V5.5 毫欧 @ 30A，10V5.7 毫欧 @ 15A，10V8.2 毫欧 @ 35A，10V24 毫欧 @ 9A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 45µA2.3V @ 250µA2.45V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 500µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V27 nC @ 4.5 V42 nC @ 10 V47 nC @ 10 V49.1 nC @ 10 V76 nC @ 10 V78 nC @ 10 V81 nC @ 10 V116 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V990 pF @ 20 V1700 pF @ 15 V2000 pF @ 15 V2160 pF @ 10 V3062 pF @ 20 V5400 pF @ 10 V5490 pF @ 10 V6195 pF @ 25 V6300 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）2.1W（Ta），100W（Tc）3.4W（Ta）30W（Tc）70W（Tc）79W（Tc）94W（Tc）100W（Tc）153W（Tc）157W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAK+PG-TO252-3-11SOT-23-3（TO-236）TO-252-3TO-252（DPAK）TO-252AATO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
247,188
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29870
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252AA
FDD8444
MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
onsemi
4,800
现货
1 : ¥17.98000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.11897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
145A（Tc）
10V
5.2 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
6195 pF @ 25 V
-
153W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
DMTH4005SK3Q-13
MOSFET N-CH 40V 95A TO252
Diodes Incorporated
7,387
现货
232,500
工厂
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.78841
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
95A（Tc）
10V
4.5 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
49.1 nC @ 10 V
±20V
3062 pF @ 20 V
-
2.1W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD036N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Infineon Technologies
40,155
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.03922
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
90A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 90A，10V
2V @ 45µA
78 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 20 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
9,627
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.09008
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Ta）
4.5V，10V
3.3 毫欧 @ 45A，10V
2.5V @ 500µA
81 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 10 V
-
157W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
3,155
现货
1 : ¥21.51000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.29761
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 500µA
76 nC @ 10 V
±20V
5490 pF @ 10 V
-
100W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMN3009SK3-13
MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
Diodes Incorporated
3,940
现货
750,000
工厂
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.71838
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 15 V
-
3.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD8451
MOSFET N-CH 40V 9A/28A DPAK
onsemi
0
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.57097
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9A（Ta），28A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
990 pF @ 20 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR3711ZTRPBF
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Infineon Technologies
11,072
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.17539
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
93A（Tc）
4.5V，10V
5.7 毫欧 @ 15A，10V
2.45V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±20V
2160 pF @ 10 V
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD8876
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
onsemi
6,212
现货
1 : ¥11.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.97219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta），73A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。