单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）1.8A（Ta）5A（Ta）8A（Ta）8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19.2 毫欧 @ 7A，10V21 毫欧 @ 5A，4.5V25.2 毫欧 @ 7.3A，10V30 毫欧 @ 6.7A，10V111 毫欧 @ 2.9A，10V2.8 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 10 V18.1 nC @ 10 V30 nC @ 10 V41 nC @ 4.5 V50 nC @ 10 V69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.2 pF @ 25 V942 pF @ 30 V1350 pF @ 15 V2580 pF @ 15 V3950 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）600mW（Ta）1.14W（Ta）2W（Ta），4.2W（Tc）5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPSOT-23-3
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
433,016
现货
12,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31827
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-TSOP
NTGS5120PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
onsemi
33,194
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35880
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.8A（Ta）
4.5V，10V
111 毫欧 @ 2.9A，10V
3V @ 250µA
18.1 nC @ 10 V
±20V
942 pF @ 30 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3417DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
6,484
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10687
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Ta）
4.5V，10V
25.2 毫欧 @ 7.3A，10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 15 V
-
2W（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Pkg 5540
SQ3495EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
15,339
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80616
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
2.5V，10V
21 毫欧 @ 5A，4.5V
1.4V @ 250µA
41 nC @ 4.5 V
±12V
3950 pF @ 20 V
-
5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3421DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
19,442
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.37104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
4.5V，10V
19.2 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
2580 pF @ 15 V
-
2W（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3469DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Vishay Siliconix
12,741
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.98508
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5A（Ta）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 6.7A，10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.14W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。