单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ P7DTMOSVIEF
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
150 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）38A（Ta）61A（Tc）64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 32A，10V45 毫欧 @ 22.5A，10V65 毫欧 @ 19A，10V125 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1.08mA4V @ 1.69mA4.3V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
44 nC @ 10 V47 nC @ 10 V62 nC @ 10 V90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1533 pF @ 100 V3650 pF @ 300 V3891 pF @ 400 V5400 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），210W（Tc）179W（Tc）201W（Tc）270W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）PG-TO247-3-41TO-263（D2PAK）TOLL
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerVDFNTO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IPW60R045P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Infineon Technologies
2,054
现货
1 : ¥55.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
61A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 22.5A，10V
4V @ 1.08mA
90 nC @ 10 V
±20V
3891 pF @ 400 V
-
201W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
10,781
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.61915
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
64A（Tc）
8V，10V
9 毫欧 @ 32A，10V
4.3V @ 1mA
44 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 75 V
-
960mW（Ta），210W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
6,000
现货
1 : ¥60.34000
剪切带（CT）
2,000 : ¥25.96351
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
38A（Ta）
10V
65 毫欧 @ 19A，10V
4V @ 1.69mA
62 nC @ 10 V
±30V
3650 pF @ 300 V
-
270W（Tc）
150°C
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SIHB125N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Vishay Siliconix
2,720
现货
1 : ¥24.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
25A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 12A，10V
5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±30V
1533 pF @ 100 V
-
179W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。