单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）6A（Ta）19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 12.4A，10V68 毫欧 @ 12A，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.3 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 25 V502 pF @ 30 V2000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）2.12W（Ta）2.5W（Ta），6W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3TO-252-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
147,742
现货
10,560,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4840BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Vishay Siliconix
38,123
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.43266
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
19A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 12.4A，10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-252-2
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
25,360
现货
732,500
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.49522
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2.12W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。