单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Rohm SemiconductorTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.1m옴 @ 1A，4.5V2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.3V @ 1mA
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V862 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
4-DSBGA（1x1）SST3
封装/外壳
4-UFBGA，DSBGATO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SST3
RK7002BMT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
266,582
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27485
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
4-DSBGA-YZB
CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Texas Instruments
5,156
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.90835
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
1.6A（Ta）
2.5V，4.5V
17.1m옴 @ 1A，4.5V
1.3V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±10V
862 pF @ 6 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-DSBGA（1x1）
4-UFBGA，DSBGA
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。