单 FET,MOSFET

结果 : 16
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™OptiMOS™-5PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA(Ta)7A(Ta),18A(Tc)10A(Ta)19A(Ta),40A(Tc)19A(Ta),74A(Tc)25A(Tc)26A(Tc)39A(Tc)40A(Tc)41A(Tc)51A(Tc)90A(Tc)100A(Tc)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.7 毫欧 @ 90A,10V3.4 毫欧 @ 20A,10V3.4 毫欧 @ 90A,10V4.7 毫欧 @ 90A,10V4.8 毫欧 @ 20A,10V4.8 毫欧 @ 35A,10V4.9 毫欧 @ 60A,6V5.9 毫欧 @ 90A, 10V7.2 毫欧 @ 15A,10V7.3 毫欧 @ 10A,10V9 毫欧 @ 10A,10V14 毫欧 @ 5A,10V14.3 毫欧 @ 10A,10V23 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 17µA2V @ 250µA2V @ 40µA2.2V @ 20µA2.2V @ 250µA2.3V @ 1mA2.5V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.8 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11.6 nC @ 4.5 V16.7 nC @ 10 V22 nC @ 10 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V28 nC @ 10 V29 nC @ 10 V45 nC @ 10 V51 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 25 V400 pF @ 25 V615 pF @ 20 V660 pF @ 25 V880 pF @ 25 V1010 pF @ 75 V1300 pF @ 25 V1330 pF @ 50 V1450 pF @ 20 V1510 pF @ 20 V1560 pF @ 25 V1800 pF @ 20 V1950 pF @ 30 V2880 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)2W(Ta)2.1W(Ta),52W(Tc)2.3W(Ta),41W(Tc)3W(Ta),59W(Tc)3W(Ta),73W(Tc)3.1W(Ta),50W(Tc)20W(Tc)30W(Tc)38W(Tc)48W(Tc)59W(Tc)104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-HSMT(3.2x3)8-HSOP8-MLP(3.3x3.3)8-WDFN(3.3x3.3)PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-FLSST3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果

显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
14,161
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.03443
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 17µA
29 nC @ 10 V
±16V
1560 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
TSDSON-8
BSZ034N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Infineon Technologies
33,195
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.50549
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-MLP, Power33
FDMC86102L
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
5,266
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.20534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7A(Ta),18A(Tc)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 50 V
-
2.3W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
SST3
RK7002BMT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
266,712
现货
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27486
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
250mA(Ta)
2.5V,10V
2.4 欧姆 @ 250mA,10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SST3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-HSMT
RQ3G100GNTB
MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Rohm Semiconductor
107,401
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.21095
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10A(Ta)
4.5V,10V
14.3 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 1mA
8.4 nC @ 10 V
±20V
615 pF @ 20 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
MFG_RS6P060BHTB1
RS6L090BGTB1
NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Rohm Semiconductor
2,014
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.81984
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
4.5V,10V
4.7 毫欧 @ 90A,10V
2.5V @ 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 30 V
-
3W(Ta),73W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
8-HSMT
RQ3G150GNTB
MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Rohm Semiconductor
8,829
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.22178
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
39A(Tc)
10V
7.2 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 1mA
11.6 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 20 V
-
20W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
8-WDFN
NVTFS5C471NLWFTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
onsemi
2,669
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.55716
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
41A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 20µA
5.5 nC @ 4.5 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS5C478NLWFTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
onsemi
1,497
现货
1 : ¥15.02000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.43735
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
26A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 5A,10V
2.2V @ 20µA
3.8 nC @ 4.5 V
±20V
400 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
HSOP8
RS6L120BGTB1
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,127
现货
1 : ¥28.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥13.25884
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
4.5V,10V
2.7 毫欧 @ 90A,10V
2.5V @ 1mA
51 nC @ 10 V
±20V
3520 pF @ 30 V
-
104W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
8-WDFN
NVTFS5C460NLTAG
MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
onsemi
1,315
现货
1 : ¥10.59000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.65299
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Ta),74A(Tc)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 40µA
11 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
MFG_RS6P060BHTB1
RS6G100BGTB1
NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,423
现货
1 : ¥14.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.18816
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 90A,10V
2.5V @ 1mA
24 nC @ 10 V
±20V
1510 pF @ 20 V
-
3W(Ta),59W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
8-HSMT
RH6R025BHTB1
NCH 150V 25A, HSMT8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,825
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.25998
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
25A(Tc)
6V,10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
16.7 nC @ 10 V
±20V
1010 pF @ 75 V
-
59W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
HSOP8
RS6N120BHTB1
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
1,298
现货
1 : ¥23.23000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.46579
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
120A(Tc)
6V,10V
4.9 毫欧 @ 60A,6V
4V @ 1mA
53 nC @ 10 V
±20V
3420 pF @ 40 V
-
104W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS6P100BHTB1
NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Rohm Semiconductor
3,468
现货
1 : ¥25.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥12.37592
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
5.9 毫欧 @ 90A, 10V
4V @ 1mA
45 nC @ 10 V
±20V
2880 pF @ 50 V
-
104W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
8-WDFN
NVTFS5C466NLWFTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN
onsemi
75
现货
1 : ¥11.58000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.08822
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
51A(Tc)
4.5V,10V
7.3 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
显示
/ 16

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。