单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta），60A（Tc）76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 20A，8V8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA1.15V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.2 nC @ 4.5 V9.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1350 pF @ 12.5 V1790 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），69W（Tc）3W（Ta）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSONP（3x3.3）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
50,698
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98840
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
76A（Tc）
1.8V，4.5V
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
CSD1632x Series 8-SON
CSD16340Q3
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Texas Instruments
16,632
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.54046
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
21A（Ta），60A（Tc）
2.5V，8V
4.5 毫欧 @ 20A，8V
1.1V @ 250µA
9.2 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1350 pF @ 12.5 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。