单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Ta），40A（Tc）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26.5 毫欧 @ 20A，10V28.5 毫欧 @ 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 43µA4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V59 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1600 pF @ 50 V1690 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
78W（Tc）91W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Infineon Technologies
14,668
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.82583
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.5A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
26.5 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 43µA
21 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 50 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO252-3
IRFR540ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Infineon Technologies
30,498
现货
1 : ¥9.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.54856
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
35A（Tc）
10V
28.5 毫欧 @ 21A，10V
4V @ 50µA
59 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
91W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。