单 FET,MOSFET

结果 : 23
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip TechnologyonsemiQorvoSTMicroelectronicsWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™CoolSiC™EOptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
40 V650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A(Tc)37A(Tc)39A(Tc)52A(Tc)53A(Tc)54A(Tc)56A(Tc)58A(Tc)60A(Tc)66A(Tc)67A(Tc)68A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V12V15V15V,18V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.7 毫欧 @ 50A,10V17 毫欧 @ 84.29A,15V22 毫欧 @ 80.28A,15V22.3 毫欧 @ 75A,15V28,8 毫欧 @ 50A,15V30 毫欧 @ 40A, 18V30 毫欧 @ 50A,18V31 毫欧 @ 40A,20V34 毫欧 @ 33.5A,15V39 毫欧 @ 20A,12V40 毫欧 @ 25A,18V43 毫欧 @ 38.9A,15V50 毫欧 @ 40A,20V52 毫欧 @ 30A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA2.6V @ 2mA2.8V @ 3mA3,6V @ 17,7mA3.6V @ 1.86mA3.6V @ 10.7mA3.6V @ 22.08mA3.6V @ 23mA3.6V @ 3.64mA3.6V @ 5mA3.6V @ 9.22mA3.6V @ 9.2mA3.8V @ 23.18mA4,3V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
28 nC @ 15 V37.8 nC @ 800 V46 nC @ 15 V52 nC @ 15 V63 nC @ 18 V75 nC @ 18 V94 nC @ 4.5 V94 nC @ 18 V99 nC @ 15 V106 nC @ 20 V111 nC @ 15 V113 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
-8V,+19V+15V,-4V+19V,-8V+20V,-10V±20V+22V,-10V+23V,-10V+23V,-7V+25V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
640 pF @ 400 V1020 pF @ 600 V1170 pF @ 400 V1450 pF @ 15 V1700 pF @ 800 V1762 pF @ 800 V1900 pF @ 800 V1969 pF @ 800 V1990 pF @ 1000 V2120 pF @ 800 V2900 pF @ 1000 V2970 pF @ 400 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
98W(Tc)131W(Tc)150W(Tc)188W227W(Tc)228W(Tc)231W(Tc)278W(Tc)319W(Tc)323W(Tc)326W(Tc)341W(Tc)352W(Tc)388W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6PG-TO247-4-1PG-TO263-7-12TO-247-3TO-247-4TO-247-4LTOLL
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNTO-247-3TO-247-4TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
23结果

显示
/ 23
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC007N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Infineon Technologies
7,874
现货
1 : ¥24.38000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.40444
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
381A(Tc)
4.5V,10V
0.7 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 250µA
94 nC @ 4.5 V
±20V
8400 pF @ 20 V
-
188W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
C3M0045065L
C3M0060065L-TR
SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Wolfspeed, Inc.
2,381
现货
1 : ¥113.54000
剪切带(CT)
2,000 : ¥66.90991
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
39A(Tc)
15V
79 毫欧 @ 13.2A,15V
3.6V @ 3.64mA
46 nC @ 15 V
+19V,-8V
1170 pF @ 400 V
-
131W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
C3M0065100K
C3M0040120K
1200V 40MOHM SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
2,050
现货
1 : ¥221.83000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
66A(Tc)
15V
53.5 毫欧 @ 33.3A,15V
3.6V @ 9.2mA
99 nC @ 15 V
+15V,-4V
2900 pF @ 1000 V
-
326W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0021120K
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
1,337
现货
1 : ¥336.77000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
100A(Tc)
15V
28,8 毫欧 @ 50A,15V
3,6V @ 17,7mA
162 nC @ 15 V
+15V,-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C2D10120D
C3M0021120D
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,120
现货
1 : ¥336.77000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
100A(Tc)
15V
28,8 毫欧 @ 50A,15V
3,6V @ 17,7mA
160 nC @ 15 V
+15V,-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
700
现货
1 : ¥411.72000
剪切带(CT)
1,000 : ¥285.20713
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
187A
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065100K
E3M0016120K
SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Wolfspeed, Inc.
226
现货
1 : ¥634.95000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
125A(Tc)
15V
22 毫欧 @ 80.28A,15V
3.6V @ 22.08mA
223 nC @ 15 V
+19V,-8V
6922 pF @ 1000 V
-
483W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0016120K
SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Wolfspeed, Inc.
257
现货
1 : ¥748.41000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
115A(Tc)
15V
22.3 毫欧 @ 75A,15V
3.6V @ 23mA
211 nC @ 15 V
+15V,-4V
6085 pF @ 1000 V
-
556W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
E4M0013120K
E4M0013120K
13M, 1200V, SIC FET TO-247, AUTO
Wolfspeed, Inc.
305
现货
1 : ¥809.49000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
153A(Tc)
15V
17 毫欧 @ 84.29A,15V
3.8V @ 23.18mA
293 nC @ 15 V
+19V,-8V
7407 pF @ 1000 V
-
517W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
580
现货
1 : ¥90.72000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
22A(Tc)
15V
157 毫欧 @ 6.76A,15V
3.6V @ 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V,-8V
640 pF @ 400 V
-
98W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
onsemi
303
现货
1 : ¥109.93000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
54A(Tc)
18V
54 毫欧 @ 20A,18V
4.4V @ 10mA
75 nC @ 18 V
+22V,-10V
1700 pF @ 800 V
-
231W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
CoolSiC Series
IMZ120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Infineon Technologies
159
现货
1 : ¥128.57000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
52A(Tc)
15V
59 毫欧 @ 20A,15V
5.7V @ 10mA
52 nC @ 15 V
+20V,-10V
1900 pF @ 800 V
电流检测
228W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-1
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0060065K
SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
514
现货
1 : ¥136.04000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
37A(Tc)
15V
79 毫欧 @ 13.2A,15V
3.6V @ 5mA
46 nC @ 15 V
+15V,-4V
1020 pF @ 600 V
-
150W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
IMZ120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Infineon Technologies
218
现货
1 : ¥164.44000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
56A(Tc)
15V,18V
40 毫欧 @ 25A,18V
5.7V @ 10mA
63 nC @ 18 V
+23V,-7V
2120 pF @ 800 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-1
TO-247-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
STMicroelectronics
598
现货
1 : ¥190.47000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
60A(Tc)
18V
52 毫欧 @ 30A,18V
5V @ 1mA
94 nC @ 18 V
+22V,-10V
1969 pF @ 800 V
-
388W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UF4SC120030K4S
1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Qorvo
1,298
现货
1 : ¥211.73000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
53A(Tc)
12V
39 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 800 V
±20V
1450 pF @ 15 V
-
341W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C3M0025065L-TR
C3M0025065L-TR
SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Wolfspeed, Inc.
1,845
现货
1 : ¥262.80000
剪切带(CT)
2,000 : ¥168.50624
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
77A(Tc)
15V
34 毫欧 @ 33.5A,15V
3.6V @ 9.22mA
111 nC @ 15 V
-8V,+19V
2970 pF @ 400 V
-
326W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
TO-247-4
NVH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
348
现货
900
工厂
1 : ¥145.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
58A(Tc)
20V
56毫欧 @ 35A,20V
4,3V @ 10mA
106 nC @ 20 V
+25V,-15V
1762 pF @ 800 V
-
319W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
MSC040SMA120B4
SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
Microchip Technology
173
现货
1 : ¥204.83000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
66A(Tc)
20V
50 毫欧 @ 40A,20V
2.6V @ 2mA
137 nC @ 20 V
+23V,-10V
1990 pF @ 1000 V
-
323W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C3M0065100K
E3M0032120K
SIC, MOSFET, 32M, 1200V, TO-247-
Wolfspeed, Inc.
352
现货
1 : ¥287.10000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
67A(Tc)
15V
43 毫欧 @ 38.9A,15V
3.6V @ 10.7mA
113 nC @ 15 V
+19V,-8V
3460 pF @ 1000 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
MSC025SMA120B4
TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
Microchip Technology
30
现货
1 : ¥339.31000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
103A(Tc)
20V
31 毫欧 @ 40A,20V
2.8V @ 3mA
232 nC @ 20 V
+23V,-10V
3020 pF @ 1000 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥106.48000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
68A(Tc)
18V
30 毫欧 @ 40A, 18V
4.4V @ 20mA
151 nC @ 18 V
+22V,-10V
3175 pF @ 800 V
-
352W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
0
现货
查看交期
600 : ¥198.47503
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
91A(Tc)
18V
30 毫欧 @ 50A,18V
4.9V @ 1mA
150 nC @ 18 V
+22V,-10V
3540 pF @ 800 V
-
547W
-55°C ~ 200°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
显示
/ 23

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。