单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Microchip TechnologySemiQ
系列
-CoolMOS™ CFD7HiPerFET™, Ultra X2
包装
散装管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
600 V650 V700 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）30A（Tc）77A（Tc）88A（Tc）89A（Tc）101A（Tc）108A（Tc）126A（Tc）131A（Tc）-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 58.2A，10V19 毫欧 @ 40A，20V22 毫欧 @ 40A，20V24 毫欧 @ 54A，10V31 毫欧 @ 40A，20V100 毫欧 @ 20A，20V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA2.4V @ 4mA（典型值）2.7V @ 4.5mA（典型值）2.8V @ 1mA4V @ 10mA4.5V @ 2.91mA5.5V @ 8mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
58 nC @ 20 V215 nC @ 20 V225 nC @ 10 V232 nC @ 20 V249 nC @ 20 V251 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+23V，-10V+25V，-10V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1336 pF @ 1000 V3020 pF @ 1000 V4500 pF @ 700 V5280 pF @ 1000 V9901 pF @ 400 V15500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
142W（Tc）278W（Tc）370W（Tc）400W（Tc）416W（Tc）890W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
D3PAKPG-TO247-3SOT-227SOT-227（ISOTOP®）SOT-227BTO-247-3
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOCTO-247-3TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,002
现货
1 : ¥153.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
101A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 58.2A，10V
4.5V @ 2.91mA
251 nC @ 10 V
±20V
9901 pF @ 400 V
-
416W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3
MSC015SMA070B
SICFET N-CH 700V 131A TO247-3
Microchip Technology
262
现货
1 : ¥293.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
131A（Tc）
20V
19 毫欧 @ 40A，20V
2.4V @ 1mA
215 nC @ 20 V
+25V，-10V
4500 pF @ 700 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
APT2X60D60J
MSC025SMA120J
SICFET N-CH 1.2KV 77A SOT227
Microchip Technology
79
现货
1 : ¥469.44000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
77A（Tc）
20V
31 毫欧 @ 40A，20V
2.8V @ 1mA
232 nC @ 20 V
+25V，-10V
3020 pF @ 1000 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
SOT-227（ISOTOP®）
SOT-227-4，miniBLOC
D3PAK
MSC025SMA120S
SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK
Microchip Technology
127
现货
1 : ¥337.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
89A（Tc）
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO-247-3
MSC090SMA070B
SICFET N-CH 700V TO247-3
Microchip Technology
127
现货
1 : ¥62.39000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
IXYK1x0xNxxxx
IXFN120N65X2
MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Littelfuse Inc.
236
现货
1 : ¥370.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
108A（Tc）
10V
24 毫欧 @ 54A，10V
5.5V @ 8mA
225 nC @ 10 V
±30V
15500 pF @ 25 V
-
890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4，miniBLOC
D3PAK
MSC090SMA070S
SICFET N-CH 700V D3PAK
Microchip Technology
103
现货
1 : ¥70.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
25A（Tc）
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
SOT-227-4 miniBLOC
GCMX080B120S1-E1
SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
SemiQ
58
现货
1 : ¥182.42000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
30A（Tc）
20V
100 毫欧 @ 20A，20V
4V @ 10mA
58 nC @ 20 V
+25V，-10V
1336 pF @ 1000 V
-
142W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
SOT-227
SOT-227-4，miniBLOC
D3PAK
MSC015SMA070S
SICFET N-CH 700V 126A D3PAK
Microchip Technology
30
现货
1 : ¥301.22000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
126A（Tc）
20V
19 毫欧 @ 40A，20V
2.4V @ 4mA（典型值）
215 nC @ 20 V
+23V，-10V
4500 pF @ 700 V
-
370W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
150-SOT-227-ISOTOP
MSC017SMA120J
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227
Microchip Technology
20
现货
1 : ¥544.47000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
88A（Tc）
20V
22 毫欧 @ 40A，20V
2.7V @ 4.5mA（典型值）
249 nC @ 20 V
+23V，-10V
5280 pF @ 1000 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
SOT-227
-
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。