单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-AlphaSGT™NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
590mA（Ta）2.1A（Ta）17.5A（Ta），48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.2 毫欧 @ 20A，10V180 毫欧 @ 500mA，4.5V495 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（典型值）1.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 4.5 V1.54 nC @ 8 V50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
80 pF @ 10 V200 pF @ 6 V2500 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
240mW（Ta）500mW（Ta）5W（Ta），56.5W（Tc）
供应商器件封装
3-PICOSTAR8-DFN（5x6）SOT-523
封装/外壳
3-XFDFN8-PowerSMD，扁平引线SOT-523
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMP21D0UT-7
MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Diodes Incorporated
281,225
现货
900,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66248
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
590mA（Ta）
1.8V，4.5V
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
700mV @ 250µA（典型值）
1.54 nC @ 8 V
±8V
80 pF @ 10 V
-
240mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
8-DFN
AONS66920
MOSFET N-CH 100V 17.5A/48A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
112,004
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.04333
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17.5A（Ta），48A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
5W（Ta），56.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
CSDxxxxF4T
CSD13381F4
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
467,622
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43988
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.1A（Ta）
1.8V，4.5V
180 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.1V @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
8V
200 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。