单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）2.7A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.2 毫欧 @ 20A，10V3 欧姆 @ 1.7A，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V45 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V220 pF @ 25 V1650 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）48W（Tc）50W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）DPAKSOT-323
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线SC-70，SOT-323TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
740,685
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
5,887
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.67849
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
6.2 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 30 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9214TRPBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Vishay Siliconix
5,771
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.51412
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
2.7A（Tc）
10V
3 欧姆 @ 1.7A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
220 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。