单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
MDmesh™ II PlusSTripFET™ V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
漏源电压（Vdss）
40 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A（Tc）18A（Tc）140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.75 毫欧 @ 16A，10V190 毫欧 @ 9A，10V780 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V29 nC @ 10 V45 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±22V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
320 pF @ 100 V1060 pF @ 100 V5900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
20W（Tc）30W（Tc）80W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PowerFlat™（5x6）TO-220FP
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220FP
STF24N60M2
N-channel 600 V, 168 mOhm typ.,
STMicroelectronics
1,033
现货
1 : ¥21.92000
管件
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
18A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
1060 pF @ 100 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-F
STF9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
STMicroelectronics
1,988
现货
1 : ¥11.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
5.5A（Tc）
10V
780 毫欧 @ 3A，10V
4V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±25V
320 pF @ 100 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
PowerFlat™
STL140N4LLF5
MOSFET N-CH 40V 140A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥23.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.33087
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
140A（Tc）
4.5V，10V
2.75 毫欧 @ 16A，10V
1V @ 250µA
45 nC @ 4.5 V
±22V
5900 pF @ 25 V
-
80W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。