单双极晶体管

结果 : 5
制造商
Fairchild SemiconductoronsemiSTMicroelectronics
系列
-*
包装
散装管件
产品状态
停产在售
晶体管类型
NPNNPN - 达林顿PNPPNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
3 A4 A12 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V100 V400 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
400mV @ 200mA,2A1.5V @ 1A,3.5A3V @ 100mA,10A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)250µA1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
48 @ 100mA,5V250 @ 500mA,2V750 @ 5A,3V
功率 - 最大值
1 W30 W33 W
频率 - 跃迁
75MHz-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装
TO-220FPTO-226
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-220FP
BDW94CFP
TRANS PNP DARL 100V 12A TO220FP
STMicroelectronics
686
现货
1 : ¥11.74000
管件
-
管件
在售
PNP - 达林顿
12 A
100 V
3V @ 100mA,10A
1mA
750 @ 5A,3V
33 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3 整包
TO-220FP
TO-220FP
BDW93CFP
TRANS NPN DARL 100V 12A TO220FP
STMicroelectronics
1,065
现货
1 : ¥13.05000
管件
-
管件
在售
NPN - 达林顿
12 A
100 V
3V @ 100mA,10A
1mA
750 @ 5A,3V
33 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3 整包
TO-220FP
KA75330ZTA
FPN660A
TRANS PNP 60V 3A TO226
Fairchild Semiconductor
11,565
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
PNP
3 A
60 V
400mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
250 @ 500mA,2V
1 W
75MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-226-3,TO-92-3 长体
TO-226
BIP PNP+PNP 2A 50V
FP210-TL-E
BIP PNP+PNP 2A 50V
onsemi
914,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
*
散装
在售
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TO-220-F
BUL742CFP
TRANS NPN 400V 4A TO220FP
STMicroelectronics
0
现货
停产
-
管件
停产
NPN
4 A
400 V
1.5V @ 1A,3.5A
250µA
48 @ 100mA,5V
30 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3 整包
TO-220FP
显示
/ 5

单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。