单双极晶体管

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
1 A3.5 A6 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V80 V100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
220mV @ 500mA,5A325mV @ 300mA,3.5A500mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)
20nA(ICBO)25nA100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
100 @ 2A,2V300 @ 200mA,2V300 @ 500mA,5V
功率 - 最大值
350 mW3 W3.2 W
频率 - 跃迁
130MHz150MHz160MHz
封装/外壳
3-UDFNPowerDI™ 5TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
DFN2020B-3PowerDI™ 5SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-23-3
ZXTN2040FTA
TRANS NPN 40V 1A SOT23-3
Diodes Incorporated
13,607
现货
261,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84350
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
1 A
40 V
500mV @ 100mA,1A
100nA
300 @ 500mA,5V
350 mW
150MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
X1-DFN1411-3
ZXTN620MATA
TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Diodes Incorporated
33,899
现货
255,000
工厂
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.23147
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
3.5 A
80 V
325mV @ 300mA,3.5A
25nA
300 @ 200mA,2V
3 W
160MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
3-UDFN
DFN2020B-3
G15H150D5
DXT2011P5-13
TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Diodes Incorporated
17,475
现货
35,000
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.79105
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
6 A
100 V
220mV @ 500mA,5A
20nA(ICBO)
100 @ 2A,2V
3.2 W
130MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerDI™ 5
PowerDI™ 5
显示
/ 3

单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。