单双极晶体管

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	晶体管类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	功率 - 最大值	频率 - 跃迁	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

BDX33BG TRANS NPN DARL 80V 10A TO220 onsemi	316 现货 1,150 工厂	1 : ¥8.29000 管件	-	管件	在售	NPN - 达林顿	10 A	80 V	2.5V @ 6mA，3A	500µA	750 @ 3A，3V	70 W	-	-65°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220
ZTX849 TRANS NPN 30V 5A E-LINE Diodes Incorporated	4,132 现货 4,000 工厂	1 : ¥8.46000 散装	-	散装	在售	NPN	5 A	30 V	220mV @ 200mA，5A	50nA（ICBO）	100 @ 1A，1V	1.2 W	100MHz	-55°C ~ 200°C（TJ）	通孔	E-Line-3	E-Line（TO-92 兼容）
ZTX857STZ TRANS NPN 300V 3A E-LINE Diodes Incorporated	2,031 现货 12,000 工厂	1 : ¥9.85000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.06784 带盒（TB）	-	剪切带（CT）带盒（TB）	在售	NPN	3 A	300 V	250mV @ 600mA，3A	1µA（ICBO）	100 @ 500mA，10V	1.2 W	80MHz	-55°C ~ 200°C（TJ）	通孔	E-Line-3，成型引线	E-Line（TO-92 兼容）

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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。