单双极晶体管

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	晶体管类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	功率 - 最大值	频率 - 跃迁	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

SPZTA42T1G TRANS NPN 300V 0.5A SOT223 onsemi	69,108 现货 65,000 工厂	1 : ¥4.02000 剪切带（CT） 1,000 : ¥1.17704 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	NPN	500 mA	300 V	500mV @ 2mA，20mA	100nA（ICBO）	40 @ 30mA，10V	1.5 W	50MHz	-	表面贴装型	TO-261-4，TO-261AA	SOT-223（TO-261）
TIP47G TRANS NPN 250V 1A TO220 onsemi	1,960 现货	1 : ¥7.80000 管件	-	管件	在售	NPN	1 A	250 V	1V @ 200mA，1A	1mA	30 @ 300mA，10V	2 W	10MHz	-65°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220
MJE15035G TRANS PNP 350V 4A TO220 onsemi	1,456 现货	1 : ¥12.56000 管件	-	管件	在售	PNP	4 A	350 V	500mV @ 100mA，1A	10µA（ICBO）	10 @ 2A，5V	2 W	30MHz	-65°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220
FJA4313OTU TRANS NPN 250V 17A TO3PN onsemi	0 现货查看交期	1 : ¥43.68000 管件	-	管件	在售	NPN	17 A	250 V	3V @ 800mA，8A	500nA（ICBO）	35 @ 7A，5V	130 W	30MHz	150°C（TJ）	通孔	TO-3P-3，SC-65-3	TO-3PN

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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。