存储器

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesMicron Technology Inc.
系列
-F-RAM™FL-SGL-S
包装
托盘管件
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMFRAM闪存
技术
FLASH - NORFRAM（铁电体 RAM）SDRAM - DDR3L闪存 - NAND
存储容量
4Mb256Mb1Gb4Gb32Gb
存储器组织
256K x 1632M x 864M x 16256M x 164G x 8
存储器接口
SPI - 四 I/O并联
时钟频率
100 MHz133 MHz933 MHz
写周期时间 - 字，页
60ns110ns-
访问时间
20 ns100 ns110 ns
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）64-LBGA96-TFBGA100-VBGA
供应商器件封装
16-SOIC44-TSOP II64-FBGA（9x9）96-FBGA（8x14）100-VBGA（12x18）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
0
现货
查看交期
1 : ¥81.19000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
4Gb
256M x 16
并联
933 MHz
-
20 ns
1.283V ~ 1.45V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-FBGA（8x14）
64-LBGA
S29GL01GS10DHI010
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Infineon Technologies
697
现货
1 : ¥111.57000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
1Gb
64M x 16
并联
-
60ns
100 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
64-LBGA
64-FBGA（9x9）
44-TSOP II
FM22L16-55-TG
IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Infineon Technologies
2,025
现货
1 : ¥321.48000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
FRAM
FRAM（铁电体 RAM）
4Mb
256K x 16
并联
-
110ns
110 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
44-TSOP II
16-SOIC
S25FL256SAGMFI011
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Infineon Technologies
313
现货
1 : ¥49.34000
管件
管件
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
-
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
16-SOIC
100-VBGA
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A
IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
Micron Technology Inc.
38
现货
1 : ¥386.09000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
闪存 - NAND
32Gb
4G x 8
并联
100 MHz
-
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
100-VBGA
100-VBGA（12x18）
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。