存储器

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMacronixMicron Technology Inc.
系列
-MXSMIO™
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMNVSRAM闪存
技术
FLASH - NORNVSRAM（非易失性 SRAM）SDRAM - DDR3L
存储容量
4Mb128Mb4Gb
存储器组织
256K x 1616M x 8512M x 8
存储器接口
SPI - 四 I/O，QPI并联
时钟频率
133 MHz933 MHz
写周期时间 - 字，页
45ns40µs，1.2ms-
访问时间
20 ns45 ns
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘48-TFBGA78-TFBGA
供应商器件封装
8-WSON（8x6）48-FBGA（6x10）78-FBGA（8x10.5）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
1,415
现货
1 : ¥62.64000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
4Gb
512M x 8
并联
933 MHz
-
20 ns
1.283V ~ 1.45V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
78-TFBGA
78-FBGA（8x10.5）
8-WSON
MX25L12833FZ2I-10G
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
Macronix
17,825
现货
1 : ¥13.30000
托盘
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb
16M x 8
SPI - 四 I/O，QPI
133 MHz
40µs，1.2ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WSON（8x6）
48-TFBGA
CY14V104NA-BA45XI
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
299 : ¥213.34184
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
NVSRAM
NVSRAM（非易失性 SRAM）
4Mb
256K x 16
并联
-
45ns
45 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
48-TFBGA
48-FBGA（6x10）
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。