存储器

结果 : 3
制造商
Alliance Memory, Inc.Infineon TechnologiesMicrochip Technology
系列
-GL-T
包装
托盘管件
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMEEPROM闪存
技术
EEPROMFLASH - NORSDRAM
存储容量
1Mb128Mb512Mb
存储器组织
128K x 84M x 3264M x 8
存储器接口
I2C并联
时钟频率
400 kHz166 MHz
写周期时间 - 字，页
2ns60ns5ms
访问时间
5.4 ns100 ns900 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 5.5V2.7V ~ 3.6V3V ~ 3.6V
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC56-TSOP86-TSOP II
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
24AA1025-I/SN
IC EEPROM 1MBIT I2C 400KHZ 8SOIC
Microchip Technology
1,008
现货
1 : ¥32.18000
管件
-
管件
在售
未验证
非易失
EEPROM
EEPROM
1Mb
128K x 8
I2C
400 kHz
5ms
900 ns
1.7V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
86-TSOP
AS4C4M32SA-6TIN
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
Alliance Memory, Inc.
2,036
现货
1 : ¥53.12000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM
128Mb
4M x 32
并联
166 MHz
2ns
5.4 ns
3V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）
86-TSOP II
56-TSOP
S29GL512T10TFI010
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Infineon Technologies
2,565
现货
1 : ¥84.81000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb
64M x 8
并联
-
60ns
100 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
56-TSOP
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。