单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™MDmesh™ M6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）25A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 12.5A，10V450 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 220µA4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V33.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
770 pF @ 500 V1515 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
29W（Tc）230W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-31TOLL（HV）
封装/外壳
8-PowerSFNTO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB Full Pack
IPA80R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Infineon Technologies
220
现货
1 : ¥17.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
11A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 4.5A，10V
3.5V @ 220µA
24 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 500 V
-
29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-31
TO-220-3 整包
TOLL (HV)
STO33N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A TOLL
STMicroelectronics
78
现货
1 : ¥37.93000
剪切带（CT）
1,800 : ¥19.61400
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
25A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 12.5A，10V
4.75V @ 250µA
33.4 nC @ 10 V
±25V
1515 pF @ 100 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TOLL（HV）
8-PowerSFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。