单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Tc）274A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 100A，10V1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 267µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V241 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 25 V11000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），42W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-7-14TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
800
现货
1 : ¥41.13000
剪切带（CT）
800 : ¥24.82399
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
274A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 267µA
241 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-14
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
0
现货
查看交期
3,000 : ¥8.16090
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.6A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。