单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®TrenchFET® Gen IIIU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）21A（Ta），98A（Tc）31A（Ta），100A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 50A，10V3.2 毫欧 @ 50A，10V3.6 毫欧 @ 20A，10V82 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V25 nC @ 10 V230 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
470 pF @ 20 V1800 pF @ 20 V9500 pF @ 10 V12900 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）960mW（Ta），170W（Tc）2.5W（Ta），52W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）PG-TDSON-8-6PowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Infineon Technologies
13,668
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.59603
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Ta），98A（Tc）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7155DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Vishay Siliconix
27,139
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.37016
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
31A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
12900 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
SI2319DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,193
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.24503
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.3A（Ta）
10V
82 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 20 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
5,146
现货
1 : ¥23.73000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.38882
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Ta）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 50A，10V
2.1V @ 1mA
230 nC @ 10 V
+10V，-20V
9500 pF @ 10 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。