单二极管

结果 : 2
包装
剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
400 V650 V
电流 - 平均整流 (Io)
3A4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 3 A1.75 V @ 4 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 400 V40 µA @ 650 V
封装/外壳
DO-201AD，轴向TO-220-2 绝缘，TO-220AC
供应商器件封装
DO-201ADTO-220AC ins
工作温度 - 结
-40°C ~ 175°C175°C（最大）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
电流 - 平均整流 (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 Vr、F 时电容
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
工作温度 - 结
DO-201AD
STTH3R04RL
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
STMicroelectronics
16,184
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
1,900 : ¥1.30113
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
400 V
3A
1.5 V @ 3 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
35 ns
5 µA @ 400 V
-
通孔
DO-201AD，轴向
DO-201AD
175°C（最大）
TO-220-2
STPSC4H065DI
DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
50 : ¥16.12400
管件
-
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
650 V
4A
1.75 V @ 4 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
-
40 µA @ 650 V
-
通孔
TO-220-2 绝缘，TO-220AC
TO-220AC ins
-40°C ~ 175°C
显示
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单二极管

单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。