单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedEPC
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）540mA（Ta）5A（Ta）69A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.5V，4V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.55 毫欧 @ 37A，5V100 毫欧 @ 3A，5V990 毫欧 @ 100mA，4.5V2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 18mA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 5 V22.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21.5 pF @ 15 V64 pF @ 25 V140 pF @ 100 V3267 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
440mW（Ta）500mW（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
X1-DFN1006-3X2-DFN0604-3模具
封装/外壳
3-UFDFN3-XFDFN模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN62D1LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Diodes Incorporated
111,346
现货
3,430,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.47501
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
1.5V，4V
2 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±20V
64 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
17,516
现货
1 : ¥30.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.05701
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
5A（Ta）
5V
100 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2067
EPC2067
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
EPC
3,364
现货
1 : ¥38.42000
剪切带（CT）
1,000 : ¥19.87988
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
69A（Ta）
5V
1.55 毫欧 @ 37A，5V
2.5V @ 18mA
22.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
3267 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
X2-DFN0604-3
DMN2991UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
Diodes Incorporated
9,832
现货
500,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.29544
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
540mA（Ta）
1.5V，4.5V
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±8V
21.5 pF @ 15 V
-
440mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X2-DFN0604-3
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。