单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
280mA（Ta）400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 欧姆 @ 50mA，5V3.5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.4V @ 26µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
28.5 pF @ 30 V43 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
440mW（Ta）500mW（Ta）
供应商器件封装
PG-SOT323SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Diodes Incorporated
69,999
现货
10,590,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.41708
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
1.8V，5V
2 欧姆 @ 50mA，5V
1V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
28.5 pF @ 30 V
-
440mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
BSS138WH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Infineon Technologies
148,419
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54070
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 200mA，10V
1.4V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
43 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。