单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Littelfuse Inc.onsemi
系列
-Depletion
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）1A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 欧姆 @ 200mA，10V16 欧姆 @ 500mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA4.5V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 10 V3090 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）290W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）TO-247HV
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3 变式
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
MMBF170LT1G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
onsemi
62,760
现货
12,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51859
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 10 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO 247 HV EP
IXTH1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Littelfuse Inc.
4
现货
1 : ¥158.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1700 V
1A（Tj）
0V
16 欧姆 @ 500mA，0V
4.5V @ 250µA
47 nC @ 5 V
±20V
3090 pF @ 25 V
耗尽模式
290W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247HV
TO-247-3 变式
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。