单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）220mA（Ta）915mA（Ta）1.3A（Ta）3.7A（Ta）4A（Ta）4A（Tc）6A（Ta）12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V1.8V，8V2.5V，4.5V4.5V，10V10V10V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 12A，20V17.6 毫欧 @ 6A，8V31 毫欧 @ 4A，4.5V54 毫欧 @ 4.3A，10V65 毫欧 @ 3.7A，4.5V180 毫欧 @ 1.3A，10V230 毫欧 @ 600mA，4.5V3 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2.4V @ 25µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.82 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V12 nC @ 5 V15.8 nC @ 4.5 V19.5 nC @ 4.5 V28 nC @ 10 V52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±10V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V60 pF @ 25 V110 pF @ 16 V150 pF @ 15 V633 pF @ 10 V1357 pF @ 10 V1400 pF @ 6 V1680 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）300mW（Tj）350mW（Ta）500mW（Ta）800mW（Ta）1W（Ta）1.3W（Ta）1.6W（Ta），2.8W（Tc）2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOMicro3™/SOT-23SC-70-6SC-89-3SOT-23-3SOT-23FSOT-323
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323SC-89，SOT-490SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
362,642
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75549
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Ta）
1.8V，8V
17.6 毫欧 @ 6A，8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-323
BSS123WQ-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
241,225
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
190,772
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
160,961
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92265
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.7A（Ta）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN352AP
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
85,120
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.21327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.3A（Ta）
4.5V，10V
180 毫欧 @ 1.3A，10V
2.5V @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
±25V
150 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP1045U-7
MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Diodes Incorporated
11,443
现货
1,686,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
31 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
15.8 nC @ 4.5 V
±8V
1357 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-89-3_463C
NVE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
onsemi
13,453
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35027
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
915mA（Ta）
1.5V，4.5V
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.1V @ 250µA
1.82 nC @ 4.5 V
±6V
110 pF @ 16 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
SC-70-6
SI1443EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Vishay Siliconix
38,120
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14196
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Tc）
10V
54 毫欧 @ 4.3A，10V
1.5V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±12V
-
-
1.6W（Ta），2.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
IRF9388TRPBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Infineon Technologies
34,879
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.42464
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
10V，20V
8.5 毫欧 @ 12A，20V
2.4V @ 25µA
52 nC @ 10 V
±25V
1680 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。