单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronics
系列
-HEXFET®STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta）4A（Ta）4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 1.5A，10V100 毫欧 @ 4A，10V250 毫欧 @ 910mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V9 nC @ 5 V20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
85 pF @ 25 V340 pF @ 25 V345 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
540mW（Ta）3W（Ta）3.3W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-223SOT-223-4
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
132,189
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80297
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
STN3NF06L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STMicroelectronics
77,831
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.02542
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Tc）
5V，10V
100 毫欧 @ 1.5A，10V
2.8V @ 250µA
9 nC @ 5 V
±16V
340 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
NDT3055L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.43402
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Ta）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 4A，10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
345 pF @ 25 V
-
3W（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。