单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
80 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.4A（Ta），46A（Tc）88A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 88A，10V19.3 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 250µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
65 nC @ 10 V87 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3420 pF @ 40 V7100 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
5W（Ta），73.5W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
IPP110N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Infineon Technologies
6,215
现货
1 : ¥59.69000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
88A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 88A，10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
PowerPAK_SO-8_Single
SI7469ADP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥13.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.26846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7.4A（Ta），46A（Tc）
-
19.3 毫欧 @ 10A，10V
2.6V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
3420 pF @ 40 V
-
5W（Ta），73.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。